沙巴体育365下注

90纳米, 0.13/0.11微米, 0.18微米,
0.25微米, 0.35微米

90纳米(mi)

手艺简介

中芯(xin)国际的(de)(de)300毫米晶(jing)圆厂(chang)已有多(duo)个90纳米工艺(yi)的(de)(de)产(chan)物进入大范(fan)围的(de)(de)出(chu)产(chan),中芯(xin)国际具(ju)有丰硕的(de)(de)制程开辟(pi)经(jing)历,可向环球客(ke)户供给(ji)(ji)成熟不(bu)变(bian)的(de)(de)90纳米手艺(yi)办事。中芯(xin)90纳米制程接纳Low-k材质(zhi)的(de)(de)铜互连手艺(yi),出(chu)产(chan)高机能的(de)(de)元器件。操(cao)纵进步前辈的(de)(de)12英寸出(chu)产(chan)线(xian)停(ting)止90纳米工艺(yi)的(de)(de)出(chu)产(chan)能确保本(ben)钱的(de)(de)优(you)化(hua),为客(ke)户将来手艺(yi)的(de)(de)晋升(sheng)供给(ji)(ji)附(fu)加的(de)(de)资本(ben)。另外(wai),咱(zan)们的(de)(de)90纳米手艺(yi)能够(gou)或(huo)许(xu)为客(ke)户量身(shen)定做, 到达各类设想请求,包含高速,低耗,夹(jia)杂旌旗灯(deng)号,射频和嵌入式和体系集成等(deng)计划。

在90纳(na)米(mi)手艺上(shang),中芯向客户(hu)供给出产优化的(de)计划(hua),以期竭(jie)尽所能(neng)地(di)为客户(hu)产物的(de)机能(neng)的(de)晋升,良(liang)率的(de)改良(liang)和靠得(de)住(zhu)性的(de)保(bao)障供给赞助。对90纳(na)米(mi)相干的(de)单位库,IP及输入/输入接口(kou)等可经由(you)过程我司的(de)协作火(huo)伴取得(de)。

特色(se)

工艺组件(jian)挑选

规范(fan)工艺组件挑选

90纳米低(di)泄电器件(1.2V)

90纳米低泄(xie)电器件(1.0V)

焦点(dian)器(qi)件

高阈值电压

规范阈值(zhi)电(dian)压

低阈值电(dian)压

输(shu)入输(shu)入器件

1.8V

2.5V

2.5V 过载 3.3V

3.3V

内存

单(dan)端(duan)静态(tai)内存 (0.999μ㎡)

双端静态内存 (1.994μ㎡)

 

操纵(zong)产物(wu)

中(zhong)芯国(guo)际90纳米(mi)手艺能够或许知足(zu)多种操(cao)纵产物如无(wu)线德(de)律风(feng),数字(zi)电(dian)视(shi),机(ji)顶盒,挪动电(dian)视(shi),小我多媒体(ti)产物,无(wu)线收集接(jie)入(ru)及小我计较机(ji)操(cao)纵芯片等对(dui)低能耗,出(chu)色(se)机(ji)能及高集成度的请求。

  • 无线德(de)律风

  • 数(shu)字电(dian)视(shi)

  • 机顶盒

  • 挪动电视

  • 小我
    多媒体产物

  • 无线收集

0.13/0.11微米

手(shou)艺简(jian)介(jie)

和0.15微米器(qi)件的制程(cheng)手(shou)艺(yi)比拟,咱们(men)的0.13微米工艺(yi)能使芯单方面积(ji)减(jian)少(shao)25%以上,机能进步约30%。与0.18微米制程(cheng)手(shou)艺(yi)比拟,芯单方面积(ji)更可减(jian)少(shao)跨(kua)越50%,而其机能也进步跨(kua)越50%。 

中芯的0.13微米制程接纳全铜制程手艺,从而在到达高机能装备的同时,完本钱钱的优化。中芯的 0.13 微米手艺工艺利用 8 层金属层宽度仅为 80 纳米的门电路,能够或许建造焦点电压为 1.2V 和输入 / 输入电压为 2.5V 3.3V的组件。咱们的高速、低电压和低泄电制程产物已在普遍出产中

中芯国际能够或许供给0.13/0.11微米的单位库,内存编译器,输入输入接口和摹拟IP

特(te)色

  • 0.13 微米/0.11微米铜工艺平台(tai)

工(gong)艺组件挑选

  • 0.13 微米(mi)

    规范工艺组(zu)件挑选

    0.13微(wei)米低泄电器件 (1.5V)

    0.13微米(mi)高(gao)机能通用器(qi)件(1.2V)

    焦点器(qi)件

    高阈值电压(ya)

    规范(fan)阈值电压

    低阈值电压(ya)

     

     

    输(shu)入输(shu)入器件

    2.5V

    3.3V

     

    内(nei)存

    (减少之前(qian))

    单端(duan)静态内(nei)存 (2.43μ㎡)

    单(dan)端静态内存(2.14μ㎡)

    单端(duan)静(jing)态内存(cun)(2.03μ㎡)

     

     

  • 0.11微米

    规范工艺(yi)组件挑选

    0.11微米(mi)高机(ji)能通(tong)电器件(jian) (1.2V)

    焦(jiao)点器件

    高阈值电压

    规范阈值电压

    低阈值电压

    输(shu)入(ru)输(shu)入(ru)器(qi)件

    2.5V

    3.3V

    内(nei)存

    (减少之前)

    单端静态内存 (2.43μ㎡)

    单端(duan)静态内(nei)存(2.03μ㎡)

     

操纵产物

中芯国际在0.13/0.11微米手艺节(jie)点上可供给低(di)本钱的闪(shan)存(cun)节(jie)制器(qi)、媒体播放(fang)器(qi)和其余各类操纵产物(wu)。

  • 闪存节制器

  • 媒体播放器(qi)

0.15微米

手艺(yi)简介

中芯国(guo)际(ji)0.15微米工艺手艺包含逻辑、夹杂旌旗灯号,高压,BCD,并(bing)供给普遍的单位库和IP的撑持。

特色

操纵产物

中芯国际在 0.15 微(wei)米手艺节点上可供给(ji)低本钱的挪动/花费操(cao)纵(zong)和汽车和产(chan)业操(cao)纵(zong)产(chan)物。

  • 挪动/花费(fei)操纵

  • 汽车(che)

  • 产业(ye)

0.18微米(mi)

手艺简(jian)介

中芯(xin)国(guo)际的0.18微米为花费性(xing)(xing)、通信和(he)计较机等多种产(chan)物操(cao)纵供(gong)给了(le)在(zai)(zai)速率、功耗、密度及本钱(qian)方面的最好挑选。另外(wai),它也(ye)在(zai)(zai)嵌入式内(nei)存、夹杂旌(jing)旗灯(deng)号及CMOS射(she)频电路等操(cao)纵方面为客户供(gong)给矫(jiao)捷(jie)性(xing)(xing)的处置计划及摹拟(ni)。

此工艺接纳 1P6M(铝)制程,特色是(shi)每平方毫米的多晶硅(gui)门电(dian)路(lu)集成度高(gao)达100,000门和有1.8V、3.3V和5V三(san)种差别电(dian)压,供客户(hu)挑选(xuan)。

咱们(men)的(de) 0.18 微(wei)米工艺手艺包(bao)含(han)逻(luo)辑、夹杂旌旗灯号/射(she)频、高压、BCD、带电(dian)可擦除只读(du)存储器和OTP等(deng)。这些手艺均(jun)有(you)普遍的(de)单位库(ku)和智能模(mo)块撑持。

特色

操纵(zong)产(chan)物

中(zhong)芯国际在 0.18 微米手艺节(jie)点上可(ke)供给低本钱、经(jing)历证的智(zhi)能卡(ka)、花费电子产物和别的普遍的操纵类产物。

  • 花费电(dian)子产物(wu)

  • 智能(neng)卡(ka)

0.25微(wei)米

手艺(yi)简介

中(zhong)芯(xin)国际的0.25微米手艺能完成芯(xin)片的高机能和低(di)功率,合用(yong)于高端图形处置(zhi)器、微处置(zhi)器、通信及计较机数据处置(zhi)芯(xin)片。咱们同时(shi)供给0.25微米逻辑电路和3.3V和5V操纵的夹杂旌旗(qi)灯号(hao)/CMOS射频(pin)电路。

特(te)色

操纵产物(wu)

中芯国际供给本钱优化(hua)及经由过程考证的0.35微米工(gong)艺处置计划(hua),可操纵于智能(neng)卡、花费性产(chan)物和(he)别的多个范(fan)畴。

  • 射频

  • 无线装备

0.35微(wei)米(mi)

手艺简介

咱们的0.35微(wei)米制(zhi)程手(shou)艺包含逻辑电路,夹杂旌(jing)旗灯(deng)号/CMOS射(she)频(pin)电路、高(gao)压电路、BCD、 EEPROM和(he)(he)OTP芯片。这些手(shou)艺均有普(pu)遍的单位库和(he)(he)智(zhi)能模块撑持。

操(cao)纵产物

中芯国(guo)际供给本钱优化及经由过程(cheng)考证的(de)0.35微米工艺处置计划,可(ke)操纵于智(zhi)能卡(ka)、花费性产物和别的(de)多个范畴。

  • 智(zhi)能卡

  • 花费电子(zi)产(chan)物

其余工艺手艺

中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米 中芯国际-90纳米,0.13/0.11微米,0.18微米,0.25微米,0.35微米