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65纳(na)米(mi)/55纳(na)米(mi)

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手艺简介

中(zhong)芯国际65纳(na)米(mi)/55纳(na)米(mi)逻(luo)辑(ji)手(shou)(shou)艺(yi)(yi)(yi)(yi)具备高机能(neng),节(jie)能(neng)的(de)(de)(de)(de)(de)上(shang)风,能(neng)够增添进步前辈(bei)手(shou)(shou)艺(yi)(yi)(yi)(yi)本钱的(de)(de)(de)(de)(de)优化及(ji)设(she)(she)想(xiang)胜利(li)的(de)(de)(de)(de)(de)能(neng)够性。此65纳(na)米(mi)/55纳(na)米(mi)手(shou)(shou)艺(yi)(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)工艺(yi)(yi)(yi)(yi)元(yuan)件(jian)挑选包罗低(di)泄(xie)(xie)电和(he)超(chao)低(di)功(gong)(gong)耗(hao)手(shou)(shou)艺(yi)(yi)(yi)(yi)平台。此两种(zhong)手(shou)(shou)艺(yi)(yi)(yi)(yi)平台都供给三种(zhong)阈值电压(ya)的(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件(jian)和(he)输入(ru)/输入(ru)电压(ya)为(wei)1.8V,2.5V和(he)3.3V的(de)(de)(de)(de)(de)元(yuan)件(jian),而构成一个弹性的(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)程(cheng)设(she)(she)想(xiang)平台。此手(shou)(shou)艺(yi)(yi)(yi)(yi)的(de)(de)(de)(de)(de)设(she)(she)想(xiang)法(fa)则、规格及(ji)SPICE模子已(yi)完(wan)整(zheng)。55纳(na)米(mi)低(di)泄(xie)(xie)电/超(chao)低(di)功(gong)(gong)耗(hao)手(shou)(shou)艺(yi)(yi)(yi)(yi)和(he)65纳(na)米(mi)低(di)泄(xie)(xie)电手(shou)(shou)艺(yi)(yi)(yi)(yi)首要(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)单位库已(yi)完(wan)整(zheng)。

特色

 

55/65纳米(mi)工艺组件挑选:

规(gui)范(fan)工艺组件挑选(xuan)

55 纳米低(di)泄电器(qi)件

65 纳米低泄电器件(jian)

焦点器件

(1.2V)

ULL

HVt

SVt

LVt

 

 

输(shu)入(ru)(ru)输(shu)入(ru)(ru)器件(jian)

1.8V

2.5V

3.3V

2.5V 超载(zai) 3.3V

2.5V 低载 1.8V

 

内存

单端高密度静(jing)态(tai)内(nei)存

单端高机能静态(tai)内(nei)存(cun)

双端高密(mi)度静态(tai)内存

双(shuang)端高机能(neng)静态内(nei)存

0.425μ㎡

0.502μ㎡

0.789μ㎡

0.938μ㎡

0.525μ㎡

0.620μ㎡

0.974μ㎡

1.158μ㎡

 

利用产物

中(zhong)芯国际(ji)55纳米逻(luo)辑(ji)产物首要面向高机能、低功耗的(de)利用(yong)场(chang)景(jing),如(ru)挪动利用(yong)和无线利用(yong)。

  • 挪动利用(yong)

  • 无线利用

其(qi)余(yu)工艺手艺

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